divalent：二價(jià)

Beale[54]延伸此理論并認(rèn)為半導(dǎo)體材料中之空乏 (depletion) 區(qū)在近於能帶間隙中間處,而在近表面處出現(xiàn)蕭基位障(Schottky potential barrier)并形在高摻雜濃度之矽中,空乏區(qū)之位障變窄,電流主要靠穿隧(tunneling)效應(yīng)穿越此二價(jià)(divalent)反應(yīng):1.

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