Arsenic Trioxide

砒霜

蘄蛇 (Agkistrodon) 蝰科動(dòng)物五步蛇的軀體膽南星 (Arisaema cum Bile) 制天南星的細(xì)粉與牛、羊或豬膽汁經(jīng)加工而成,或?yàn)樯炷闲羌?xì)粉與牛一级片网址在线看、羊或豬膽汁經(jīng)發(fā)酵加工而成砒霜(Arsenic trioxide) 藥用砒石(Arsenolite) 氧化物類礦物砷華的礦石或?yàn)槎旧盎蛐埸S制成的加工品,

white arsenic

砒霜

審注1:砒霜(white arsenic)即三氧化二砷(arsenic trioxide)的俗稱. 坎特雷拉是西班牙貴族出身的教宗亞歷山大六世(Papa Alessandro VI)的家傳秘方毒藥. 坎特雷拉的相關(guān)傳說很多,首先介紹教宗亞歷山大六世--羅德里哥-博爾吉亞(Rodrigo Borgia)的故事.

arsine

胂

砷、銻、鉍與氮欧美日韩另类国产、磷一樣也能形成氫化物,它們都是無色具有惡臭的極毒氣體,都不穩(wěn)定,其穩(wěn)定性按AsH3-SbH3-BiH3順序依次降低. 在這三種氫化物中砷化氫(又稱胂)(Arsine)較重要.

compressive strain

壓縮應(yīng)力

此壓縮應(yīng)力(compressive strain). 的砷化鎵銦(InGaAs)晶格匹配於舒 ...... 的研究與實(shí)務(wù)應(yīng)用,以治本的方法. 達(dá)到這樣的目的才是最好的選擇. 參考文獻(xiàn) ..... 中度通風(fēng)(MV):可控制氣體的集中. 使邊界區(qū)域形成濃度低於LEL,并且泄漏停止后,.

electronegative

電負(fù)性

,銫(Cs+)離子束濺射用于提高電負(fù)性(electronegative)材料(如磷P、砷As、銻Sb和氣體元素)的離子產(chǎn)率. 通過選擇正確的一次離子束和優(yōu)化儀器條件,SIMS能夠提供低于ppm到ppt水平的極好的探測極限. 下表給出了SIMS所選元素在硅的體相模式(Bulk)下的探測極限.

GaN

氮化鎵

LED芯片又稱LED芯片,英文叫做CHIP,它是制作LED燈具(LED LAMP)偷拍视频三区、LED屏幕(LED DISPLAY)啪啪免费网站大全、LED背光(LED BACKLIGHT)的主要材料,由磷化鎵(GaP),鎵鋁砷(GaAlAs),或砷化鎵(GaAs),氮化鎵(GaN)等材質(zhì)組成,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)為一個(gè)PN結(jié),

Ge

鍺

自然界中屬于半導(dǎo)體的物質(zhì)有很多種,用來制造半導(dǎo)體器件的材料主要有硅(Si), 鍺(Ge)和砷化鎵(GaAs)等. 半導(dǎo)體不僅是電導(dǎo)率與導(dǎo)體有所不同,而且具備其它特有的性能,正是利用這些特性,使半導(dǎo)體器件(二極管、晶體管和光電器件等)取得了舉世矚目的發(fā)展.

internet protocol address

互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議地址

互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議地址 (Internet Protocol Address) 請參閱 IP. 基片 (Substrate) 在上面放置物質(zhì)或圖像的基礎(chǔ)材料. 激光 (LASER) 受激輻射光放大所產(chǎn)生的光. 激光是一種強(qiáng)度很高的量密度. 激光二極管 (Laser Diode) 使用砷化鎵半導(dǎo)體制成的激光器,

RF Switch

射頻開關(guān)

受3G和智能手機(jī)需求增長,砷化鎵用量大增砷化鎵主要應(yīng)用于射頻通訊元件,主要產(chǎn)品包括功率放大器(PA)亚洲性爱无码精品网站、射頻開關(guān)(RF Switch)等. 3G與智能手機(jī)的區(qū)別,穩(wěn)懋微波事業(yè)群總經(jīng)理王郁琦指出,在2G手機(jī)上,僅使用1~2顆功率放大器與射頻開關(guān)器,

cacodyl chloride

卡可基氯 二甲胂基氯

cacodoxy | (指宗教上的)錯(cuò)誤觀念 | cacodyl chloride | 卡可基氯 二甲胂基氯 | cacodyl | 二甲砷基, 四甲二砷